直流濺射(DC Magnetron Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro n Sp uttering)
反應濺射是在濺射系統里的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應氣體,通常用作反應氣體的主要是氧氣和氮氣。
直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,其工藝設備簡單,有較高的濺射速率。
中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。
孿生靶濺射技術大大提高磁控濺射運行的穩定性,可避免被毒化的靶面產生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業化大規模生產奠定基礎。
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